Este proyecto se enmarca dentro de un área de investigación cuyo propósito fundamental es el desarrollo de nuevos materiales semiconductores de gap grande, con propiedades adecuadas para la fabricación de celdas solares de bajo costo. En este proyecto se caracterizarán los materiales Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) y SnS:Bi usados en celdas solares fabricadas con tecnología de película delgada. Las celdas solares basadas en CIGS han alcanzado la máxima eficiencia de 19.2 % en celdas solares que utilizan la tecnología de capa delgada para su fabricación. El SnS es un nuevo material fotovoltaico que ya se ha reportado como adecuado para su uso en celdas solares, que al ser dopado con Bi (SnS:Bi) cambia su tipo de conductividad de p a n, con lo cual se hace posible fabricar in-situ celdas solares tipo homojuntura y así aumentar la eficiencia de la celda solar. En esta segunda fase del proyecto, se continuará con la caracterización cuantitativa de la composición química de las películas de CIGS, depositadas por el método multietapa en la primera fase del proyecto. Para esto, se usará la técnica de X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) en perfil de profundidad (en la primera fase del proyecto este análisis de fases mediante XPS solo se hizo en la superficie de las películas), y se realizarán análisis de morfología y composición mediante técnicas no usadas en la primera fase, como Scanning Electron Microscopy (SEM) y Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDAX). Las películas delgadas de SnS dopadas con diferentes concentraciones de Bismuto, ya depositadas en el Laboratorio de Celdas Solares del Departamento de Física, se caracterizarán con técnicas de EDAX, SEM y Auger Electron Spectroscopy (AES) en perfiles de profundidad. Estas técnicas se usarán para establecer sus características de composición química en el volumen, el grado de difusión entre los elementos precursores del compuesto, su homogeneidad en la composición química, y su morfología.