--Los avances en las tecnologías de la información, las comunicaciones y los medios de transporte y su impacto en la sociedad han llevado al desarrollo de dispositivos que generen energía de una manera eficiente, que sean pequeños y livianos, con bajo costo de producción y amigables con el medio ambiente. Adicionalmente, el creciente desarrollo de los dispositivos ópticamente integrados demanda el desarrollo de emisores de luz con longitudes de onda que se acoplen a las fibras y guías ópticas. Teniendo en cuenta esas necesidades, en este proyecto se propone la fabricación grafeno que incorpore en su estructura bidimensional óxidos de tierras raras para un potencial desarrollo de dispositivos ópticamente activos tales como foto emisores (diodos). El crecimiento de las películas de grafeno con óxidos de tierras raras (Nd, Sm, Er y Gd) se realizará mediante exfoliación electroquímica y se depositaran mediante la técnica de goteo sobre sustratos de vidrio y silicio tipos n y p con el fin de evaluar la respuesta óptica mediante espectroscopia UV-Vis y la respuesta eléctrica del sistema grafeno-oxido de tierra rara mediante la medida de característica corriente-voltaje, considerando parámetros de crecimiento tales como concentración de óxido de tierra rara y numero de capas depositadas sobre los sustratos. El estudio de la composición química y morfología de las películas de grafeno con oxido de tierra rara se realizarán mediante espectroscopia Raman y microscopia electrónica de barrido (SEM), respectivamente. La respuesta fotoluminiscente del sistema grafeno-oxido de tierra rara se evaluará mediante espectroscopia de emisión.