El desarrollo de sensores de campo magnético por efecto Hall con materiales semiconductores como Arseniuro de galio (GaAs) es un tema de actualidad dada su aplicación en diferentes áreas de la física y la ingeniería. En el presente proyecto de investigación pretendemos preparar y caracterizar películas delgadas de aleaciones semiconductores III-V y III-V:Mn, tales como GaAs, GaAsMn, GaSb, y GaSb:Mn mediante pulverización cátodica asistida por campo magnético (magentrón sputtering) sobre substratos aislantes y semi aislantes., con el fin de desarrollar sensores de estado sólido de campo magnético por efecto Hall. Para este propósito las películas delgadas serán caracterizadas mediante difracción de rayos-X con el fin de determinar su calidad cristalina, espectroscopia IR-Vis-UV para determinar la energía del ancho de banda prohibido (Eg), magnetometría de muestra vibrante (VSM) y efecto Hall para determinar su comportamiento magnético, y la concentración de portadores. Para el desarrollo de los sensores de campo por efecto Hall es necesario optimizar los parámetros de crecimiento como Eg, calidad cristalina y la figura de mérito del dispositivo (por ejemplo, sensibilidad, linealidad, coeficientes de temperatura) que son funciones de los parámetros del material. Actualmente los sensores de efecto Hall se fabrican de películas epitaxiales de GaAs , InAs e InSb en el intervalo de temperatura desde –190 o hasta 100 oC, para optimizar el funcionamiento del sensor. En particular, los sensores GaAs ofrecen un amplio rango de temperatura de funcionamiento, un coeficiente de temperatura de la entrada Hall muy pequeño y una excelente linealidad con el campo magnético. El desarrollo de sensores Hall requiere diseñar circuitos de amplificación de la voltaje Hall, dependiendo del material con que se fabrique el sensor.