En los últimos cinco años ha habido gran interés en la obtención de aleaciones semi-magnéticas de semiconductores ternarios III-V dopados con Mn y Cr, en forma de películas delgadas sobre diferentes sustratos, especialmente Si(001) y vidrio los cuales son usados en diferentes campos de la espintrónica. De especial interés son los compuestos de GaAs y GaSb dado que se puede cambiar sus propiedades semiconductoras a semi-magnéticas con la introducción de elementos de transición 3d como manganeso (Mn) o cromo (Cr) en la matriz de GaAs y GaSb, respectivamente. En estos materiales se ha reportado temperaturas de transición ferromagnéticas por encima de temperatura ambiente para el caso de GaSbMn, y hasta 120 K para GaAsMn, por técnicas de crecimiento de cristales como epitaxia de haces moleculares. Sin embargo, la producción y caracterización de este tipo de muestras por técnicas de bajo costo como pulverización catódica es un campo por explorar.