En la presente propuesta se estudiarán y analizarán las propiedades estructurales y eléctricas de materiales cerámicos ferroeléctricos basados en bismuto. El material de interés, el titanato de bismuto Bi4Ti3O12, pertenece a la familia tipo Aurivillius que presenta propiedades ferroeléctricas y piezoeléctricas hasta temperaturas elevadas de 675°C, por lo cual es un potencial candidato para aplicaciones de alta temperatura en múltiples dispositivos en el campo de la microelectrónica y optoelectrónica. Este material se crecerá en forma de película delgada ferroeléctrica por la técnica de magnetrón sputtering rf, que es apropiada para materiales cerámicos y obtención de películas uniformes. Sus propiedades estructurales, morfológicas y eléctricas serán caracterizadas de forma experimental mediante las técnicas de Difracción de Rayos X, Microscopía Electrónica de Barrido y métodos de análisis eléctrico. Así mismo, sus características químicas se obtendrán por Espectroscopía de fotoelectrones emitidos por rayos X y Microscopía Raman. Desde el punto de vista teórico se modelarán algunas propiedades eléctricas como ciclos de histéresis ferroeléctricos y constante dieléctrica por el bajo estudio que han tenido desde esta perspectiva. En este aspecto el mayor aporte del trabajo es la modelación teórica para verificar algunos resultados de propiedades eléctricas obtenidas.