La influencia de impurezas en diferentes compuestos y la pregunta a cerca de las contribuciones de diferentes mecanismos de dispersión han sido siempre de gran interés. Usualmente, el comportamiento anómalo de la resistividad se ha tratado desde el modelo de Mott o sobre la base del modelo de espín desordenado. Las contribuciones de los diferentes mecanismos de dispersión frecuentemente se describen por la regla de Matthiessen, dónde la resistividad del material está compuesta por la suma de las contribuciones de impurezas, phonones y componente magnéticos. Sin embargo, la dispersión de electrones es un proceso complejo y un mecanismo que puede afectar a las otras tal que sus contribuciones no son aditivas En este trabajo fabricaremos pastillas y películas gruesas del sistema de fase Bi-2223 dopado con Ytrio Bi2Sr1.4(Pb)0.6Ca2-xYxCu3O10+ las cuales serán crecidas sobre substratos de MgO por medio de la técnica de fundición, templado, recocido (FTR), serán caracterizadas estructural, eléctrica y magnéticamente, Las medidas de transporte eléctrico se harán por medio de curvas de resistividad vs temperatura en un criostato de ciclo cerrado de Helio, el cual tiene como rango de medición desde temperatura ambiente hasta 10K, la caracterización magnética se realizará a través de una sonda de susceptibilidad, y la caracterización estructural se realizará en un difractómetro de rayos X.