El material semiconductor de aleación ternaria de nitruro de Indio y Aluminio (InxAl1-xN) fue postulado como un excelente candidato para producir celdas solares en el año 2008. En la presente investigación, capas amorfas de InxAl1-xN (0.55¿x¿0.60) fueron sintetizadas mediante la técnica de magnetrón sputtering RF, y luego estudiadas para su posible empleo en aplicaciones fotovoltaicas.. Se estudiaron las propiedades físicas, estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas. Los valores de energía del band gap obtenidos implican su posible uso como capa absorbente y capa ventana en celdas solares (1.9eV-2.3eV). Los coeficientes de absorción óptica fueron altos, con respecto a los materiales usados actualmente en celdas solares. Esto implica la posibilidad de emplear capas más delgadas en dispositivos fotovoltaicos basados en InxAl1-xN.