El nitruro de Indio y Aluminio se proyectó como excelente candidato para producir las celdas multiunión fue el InAlN, en el año 2008 [18]. El ancho de banda de energía prohibida de este material abarca la más amplia gama entre cualquier sistema de aleación de semiconductores, con valores entre 0,64 eV (InN) y 6,2 eV (AIN). Esta característica lo hace ideal para aplicaciones optoelectrónicas, incluyendo las celdas solares, detectores, sensores, transistores, diodos láser, y diodos emisores de luz. Su estudio a nivel mundial todavía se encuentra en fase inicial, y por ello aún no se han logrado obtener dispositivos fotovoltaicos. En esta investigación plantea diseñar y construir un prototipo de celda solar fotovoltaica hetero unión tipo InAlN/Si. El proyecto se divide en cuatro fases. La primera consiste en el diseño computacional del dispositivo, mediante simulación de los materiales involucrados, para lograr una optimización inicial de las partes del prototipo. En la segunda fase se sintetizarán las nano capas de los materiales InAlN, y contactos eléctricos, variando sistemáticamente los parámetros de depósito. Luego de esto se realizarán caracterizaciones de transmitancia Óptica, Espectroscopia Fotoelectrónica de Rayos X (XPS), Difracción de Rayos X (DRX), Microscopía de Fuerza Atómica (AFM), y Microscopía electrónica de Barrido (SEM), para caracterizar química, estructural, morfológica, óptica y eléctricamente las capas obtenidas. Con estas caracterizaciones se tendrá un ajuste de las variables físicas involucradas. En la tercera fase se procederá a sintetizar el dispositivo empleando las técnicas físicas de depósito en fase de vapor asistidas por plasma, como el Sputtering. La cuarta fase consiste en caracterizar el prototipo, mediante obtención de la curva I-V, eficiencia cuántica, y eficiencia total.