El objetivo del presente trabajo es obtener capas de InN por medio de la técnica magnetrón sputtering rf. Se utilizaran como blanco un disco de In de 1 pulgada y gases de Ar y N2 como atmosfera mixta que favorecerán la preparación del material. Las capas serán crecidas a una presión y potencia de la fuente rf como parámetros constantes y se tendrá como variable la temperatura de crecimiento. La estructura de cada una de las muestras será analizada utilizando las técnicas de rayos-x (XRD) y espectroscopia Raman para obtener datos característicos del material, además de valores de tamaño de cristalito, micro-estrés y dependencia del parámetro de red según la temperatura de crecimiento. Se realizará un estudio morfológico de las películas con la ayuda de un microscopio electrónico de barrido (SEM) y un microscopio de fuerza atómica (AFM) con el propósito de obtener valores de tamaño de grano y la rugosidad para cada una de las muestras, además de datos sobre el crecimiento preferencial y el espesor de las películas. Los modos vibracionales TO y LO característicos del material serán determinados por espectroscopia Raman.