--En la actualidad indudablemente, la tecnología electrónica y su progresiva miniaturización continúa revolucionando la calidad de vida de los seres humanos proporcionando nuevas soluciones a través de un sin número de novedosos dispositivos opto-electrónicos. El incremento exponencial de la velocidad de las telecomunicaciones, las nuevas herramientas de hardware en dispositivos móviles, el aumento en la capacidad de cómputo, medios de visualización basados en tecnología de puntos cuánticos y los nuevos e ingeniosos métodos de detección en medicina, son tan solo algunos ejemplos que se pueden citar donde los recientes avances de la electrónica ha impactado significativamente. Esta revolución tecnológica no habría podido llevarse a cabo sin los desarrollos en materia de crecimiento de materiales, donde gracias al refinamiento de algunas técnicas de crecimiento como la técnica de deposición de vapores químicos metalorgánicos (MOCVD) o Stranski-Krastanow, se ha podido obtener un sin número de heteroestructuras semiconductoras cuya geometría, tamaño y variaciones topológicas se pueden predeterminar y ajustar con exactitud nanométrica. Al doparse estos sistemas de baja dimensionalidad con impurezas donadoras, se ha demostrado que el espectro energético de dichas impurezas exhibe un comportamiento similar al de un átomo, dado que los portadores de carga experimentan un potencial de confinamiento generado por las diferencias de brechas de energía entre los materiales y el cual restringe su movimiento a espacios de dimensión reducida comparables con las longitudes de onda de De Broglie de los portadores. En consecuencia, su espectro de energía presenta características de naturaleza mecánico-cuántica las cuales difieren de manera sustancial a las propiedades de las impurezas donadoras en un material en el volumen. Los hallazgos mencionados anteriormente, han motivado la presentación de esta propuesta de proyecto de investigación, cuyo objetivo central es realizar una contribución a la comprensión de la evolución de las propiedades ópticas de sistemas de una partícula móvil en nano-discos semiconductores de GaAs/GaAsAl, cuando se realiza variaciones morfológicas, de intensidades de campo y de concentración de aluminio. Algunos estudios previos se han realizado para el caso de lentes mono-electrónicas, anillos excitónicos bidimensionales, puntos cuánticos esféricos y puntos cuánticos elípticos. No obstante, de acuerdo al levantamiento del estado del arte realizado, es reducido el número contribuciones que dediquen su estudio a los sistemas de pocas partículas fuertemente confinadas en nano-discos donde se aborde simultáneamente la incidencia que tiene la dimensionalidad de la estructura confinante, considerando deformaciones estructurales y la presencia de impurezas.