Se utilizará el método de Ondas Planas Aumentadas y Linearizadas (FP-LAPW), con la aproximación de Gradiente Generalizado (GCA), dentro del formalismo que provee la Teoría del Funcional Densidad (DFT) para calcualar las propiedades estructurales y electrónicas del Si con impurezas sustitucionales de la Columna III y V.