En los últimos años el estudio y la investigación alrededor del óxido de zinc (ZnO) se ha incrementado al hacerse evidente nuevas y atractivas propiedades referentes a la morfología nanométrica, siendo un material prometedor en la construcción y elaboración de dispositivos electrónicos, sensores, sistemas emisores de luz, entre otros. El ZnO es un semiconductor del grupo II-VI con una energía de banda prohibida de 3,34 eV con estructura cristalina hexagonal tipo wurtzita. La no simetría de su forma hexagonal le confiere a este semiconductor algunas propiedades anisotrópicas actualmente aplicables en la industria (piezoeléctricos y materiales de doble refracción) que junto a sus potenciales aplicaciones tecnológicas y su abundancia lo convierte en un compuesto altamente promisorio. Las rutas de reacción química representan vías de crecimiento más accesibles y controladas que aquellas que involucran equipos de alta tecnología, por esta razón se plantea la elaboración de una metodología para el crecimiento óptimo de nanoestructuras semiconductoras de ZnO con el objetivo de analizar el cambio en las propiedades estructurales, ópticas, vibracionales, morfológicas, térmicas y dieléctricas, en función del tratamiento térmico y la atmósfera de crecimiento. La sinterización se llevara a cabo siguiendo la ruta de descomposición termal, la cual ha sido reportada por otros autores y trabajos previos de los proponentes como un procedimiento reproducible en la generación de nanohilos, siendo hasta ahora estudiada su acción fotocatalítica, antibacterial y como dispositivo sensor.