Películas delgadas del óxido semiconductor ZnO tanto en su estado puro como dopado con impurezas de Al o N serán producidas utilizando métodos químicos como el método de sol-gel y/o el de precursor polimérico (Pechini). Las películas de ZnO serán caracterizadas depositadas sobre sustratos amorfos (vidrio) y monocristalinos (SrTiO3) por medio de recubrimiento por inmersión y/o rotación. Las películas producidas serán caracterizadas de acuerdo a sus propiedades estructurales, morfológicas y eléctricas utilizando difracción de Rayos X, Microscopía Electrónica de Barrido (SEM) y método de cuatro puntas. Dispositivos rectificador tipo p y tipo n serán fabricados con base en estas películas y sus propiedades rectificadoras debidamente caracterizadas.